Ngày: 29/09/2025.
1. Polycrystalline (Poly) – Công nghệ đa tinh thể truyền thống
-
Công nghệ lõi:
-
Dùng silicon đa tinh thể, sản xuất bằng phương pháp casting (đúc khối silicon lớn rồi cắt wafer).
-
Các hạt tinh thể có ranh giới → cản trở chuyển động electron, tạo tái tổ hợp hạt tải nhiều hơn.
-
-
Đặc điểm kỹ thuật:
-
Hiệu suất thấp do recombination tại ranh giới hạt.
-
Hiệu suất quang điện ~15–17%.
-
-
Vấn đề công nghệ: hạn chế bởi vật liệu, khó cải thiện hiệu suất.
2. Mono PERC (Passivated Emitter and Rear Contact)
-
Công nghệ lõi:
-
Pin silicon đơn tinh thể (Czochralski grown).
-
Bổ sung lớp Aluminum Oxide (Al₂O₃) hoặc SiNx passivation ở mặt sau cell → giảm recombination.
-
Có lớp back surface field (BSF) giúp phản xạ lại photon chưa hấp thụ.
-
-
Đặc điểm kỹ thuật:
-
Hiệu suất ~20–22%.
-
Cell mỏng hơn, hấp thụ ánh sáng tốt hơn.
-
-
Công nghệ then chốt: Rear Surface Passivation + Local Laser Contact.
3. TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact)
-
Công nghệ lõi:
-
Thêm lớp SiO₂ siêu mỏng (~1–2 nm) trên bề mặt silicon.
-
Phủ tiếp lớp polysilicon giàu dopant (n+ poly-Si hoặc p+ poly-Si).
-
Các electron đi qua lớp oxit bằng hiệu ứng tunneling, giảm recombination mạnh.
-
-
Đặc điểm kỹ thuật:
-
Hiệu suất thực tế 23–24,5%.
-
Giữ được mật độ dòng cao hơn PERC.
-
-
Khác biệt: Lớp tunnel oxide + poly-Si là chìa khóa nâng hiệu suất vượt trần giới hạn PERC.
4. HJT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)
-
Công nghệ lõi:
-
Kết hợp wafer silicon tinh thể (c-Si) với các lớp a-Si:H (amorphous silicon hydrogenated) cực mỏng.
-
Gồm 3 lớp chính:
-
Lớp i-a-Si:H (intrinsic amorphous Si) phủ lên c-Si để passivation.
-
Lớp n-a-Si:H và p-a-Si:H làm tiếp xúc.
-
Hai mặt đều phủ TCO (Transparent Conductive Oxide, thường là ITO hoặc ZnO).
-
-
-
Đặc điểm kỹ thuật:
-
Hiệu suất 24–25,5%.
-
Hệ số nhiệt độ thấp (khoảng –0,25 %/°C).
-
-
Điểm cốt lõi: Passivation toàn diện hai mặt và dị thể tinh thể – vô định hình giảm recombination gần như tối đa.
5. Perovskite Solar Cell (PSC)
-
Công nghệ lõi:
-
Vật liệu Perovskite có cấu trúc tinh thể ABX₃ (ví dụ CH₃NH₃PbI₃).
-
Có dải hấp thụ rộng, hệ số hấp thụ quang cực cao, cho phép làm lớp hấp thụ rất mỏng (300–500 nm).
-
Đi kèm các lớp: ETL (Electron Transport Layer), HTL (Hole Transport Layer), và Transparent Electrode.
-
-
Đặc điểm kỹ thuật:
-
Hiệu suất lab đạt >25%, tandem (Si + Perovskite) có thể vượt 30%.
-
Dễ chế tạo bằng in phủ, spin-coating.
-
-
Thách thức: Độ bền môi trường (ẩm, nhiệt, UV), vấn đề chì (Pb).
6. So sánh công nghệ lõi
| Công nghệ | Công nghệ lõi | Hiệu suất (%) | Điểm mạnh | Điểm yếu |
|---|---|---|---|---|
| Poly | Casting silicon đa tinh thể, nhiều ranh giới hạt | 15–17 | Giá rẻ | Giới hạn hiệu suất |
| Mono PERC | Passivation mặt sau + local laser contact | 20–22 | Công nghệ trưởng thành, sản xuất dễ | Giới hạn vật lý ~23% |
| TOPCon | Tunnel oxide + poly-Si contact | 23–24,5 | Vượt trần PERC, thương mại hóa nhanh | Chi phí cao hơn PERC |
| HJT | Cấu trúc dị thể: c-Si + a-Si:H + TCO | 24–25,5 | Hiệu suất cao, hệ số nhiệt thấp | Đắt, cần dây chuyền mới |
| Perovskite | Lớp hấp thụ Perovskite ABX₃ + ETL + HTL | >25 (lab) | Tiềm năng cao, dễ sản xuất | Thiếu ổn định, chưa thương mại |
7. Kết luận
-
Poly đã lỗi thời, ít được dùng.
-
Mono PERC vẫn là dòng chủ lực hiện nay nhưng sắp đạt giới hạn.
-
TOPCon là công nghệ chuyển tiếp, nhiều hãng lớn đã áp dụng cho sản xuất hàng loạt.
-
HJT phù hợp phân khúc cao cấp, vùng nóng, hứa hẹn khi chi phí hạ.
-
Perovskite là công nghệ tương lai, có thể tạo ra bước nhảy vọt về hiệu suất nếu giải quyết được vấn đề độ bền.
Mọi thông tin tư vấn về điện mặt trời doanh nghiệp hay gia đình xin liên hệ:
Thông qua Messenger của MPSe
Điện thoại / Zalo: 0904 686 673
Youtube: https://www.youtube.com/@MaiPhuongSolar-MPSE/shorts
Tiktok: https://www.tiktok.com/@mpse27
Mai Phương Solar Energy – Giải pháp năng lượng sạch cho tương lai bền vững
